基于电容结构的α-SiGe∶H膜电学退化特性

作者：郑若成; 吴素贞; 洪根深; 王印权; 徐海铭; 吴建伟

来源：微纳电子技术, 2020, 57(07): 526-576.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2020.07.004

• 一次可编程(OTP)存储器
• α-SiGe∶H膜
• 肖特基接触
• 热电子发射-扩散模型
• 跳跃电导机制

针对航天一次可编程(OTP)存储器高可靠应用需求,基于电容结构和肖特基接触模型,分析得出α-SiGe∶H膜退化前电流传输机制较好地符合热电子发射-扩散模型,并计算得到零偏α-SiGe∶H/TiW界面肖特基势垒高度为0.41 eV。通过实验发现,在电压应力作用下,α-SiGe∶H膜漏电随时间增大并逐渐饱和,且不同应力电压下对应饱和漏电大小及饱和点时间不同。分析应力下漏电增大与非晶网络弱键断裂造成的缺陷相关,漏电机制由初始的扩展态主导转变为由缺陷密度决定的局域态主导,漏电饱和归因于α-SiGe∶H膜中缺陷密度的饱和,采用近邻跳跃电导模型可以很好地拟合实测J-V曲线,并计算得到饱和缺陷密度为5×1019 eV-1·cm-3。

• 单位
  中国电子科技集团公司第五十八研究所