多晶电池二次扩散工艺研究

作者：焦朋府; 贾宇龙; 李雪方

来源：山西化工, 2018, 38(06): 29-42.

DOI：10.16525/j.cnki.cn14-1109/tq.2018.06.09

• 多晶电池片
• 二次扩散
• 转化效率

多晶电池片生产线的烧焦片、色差片采取有效的二次生产工艺,可以有效提升产线合格率。针对烧焦、色差片进行二次清洗后出现不同的方阻值,优化并制定不同的二次扩散工艺,稳定方阻,提升其转化效率。实验结果表明:清洗后方阻为95Ω～120Ω的硅片,扩散提高推进氧浓度;方阻为120Ω～150Ω的硅片,采用794℃低温沉积,810℃高温推进,并延长推进时间;方阻大于150Ω的硅片使用生产两步沉积两步扩散方法。三种不同情况下的扩散运行配方,高方阻值均可调整并稳定在生产要求范围内,并且转换效率与产线持平。