透明导电氧化物-βGa_2O_3单晶生长的研究进展

作者：张俊刚; 夏长泰; 吴锋; 裴广庆; 徐军

来源：人工晶体学报, 2005, (04): 676-681.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2005.04.024

• 透明导电材料
• -βGa2O3单晶体
• 浮区法
• 衬底 transparent conducting material
• β-Ga_2O_3 single crystals
• floating zone method
• substrate

本文对β-Ga2O3单晶体的研究情况进行了综合,主要介绍了β-Ga2O3单晶体的生长方法:Verneuil法、提拉法和浮区法生长技术,并简单介绍了β-Ga2O3单晶体的光学和电学性质及其在GaN衬底方面的应用。β-Ga2O3单晶体的优异性质使其可以成为新一代的透明导电材料。

• 单位
  中国科学院研究生院; 中国科学院上海光学精密机械研究所