基于田口方法的混合集成基板CMP工艺优化研究

作者：谢迪; 李浩; 王从香; 侯清健; 崔凯

来源：电子机械工程, 2021, 37(03): 55-58.

DOI：10.19659/j.issn.1008-5300.2021.03.012

• 化学机械抛光
• 混合集成基板
• 粗糙度
• 选择比
• 田口方法
• 参数优化

为了提高多芯片组件(Multi-Chip Module, MCM-C/D)技术中低温共烧陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramic, LTCC)基板的表面质量,需要采用化学机械抛光(Chemical Mechanical Polishing, CMP)工艺使基板表面平坦化。文中探讨了基于田口试验方法的基板CMP工艺参数优化设计方法。在一定的抛光条件下,抛光液pH值、抛光载荷和抛光盘转速是影响基板表面质量的主要工艺参数。文中设计了3因素3水平试验进行研究。研究结果表明,基板表面CMP平坦化的影响因素依次是抛光载荷、抛光液pH值和抛光盘转速。采用优化参数获得了光洁、平整的表面,基板粗糙度Ra≤0.05μm,浆料凸起高度H≤3μm,经薄膜工艺验证,满足厚薄膜混合基板的研制应用需求。

• 单位
  南京电子技术研究所