高可靠混合集成电路(HIC)基板异质膜层搭接典型问题浅析

作者：刘俊夫; 郑静; 董永平; 朱文丽; 汤文明^*

来源：电子元件与材料, 2020, 39(09): 90-104.

DOI：10.14106/j.cnki.1001-2028.2020.0124

• 高可靠混合集成电路
• 厚膜
• 搭接
• 可肯达尔效应
• 显微结构

阐述了高可靠混合集成电路(HIC)配套厚膜基板典型异质膜层搭接部位的三种典型问题:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题、Ag基导体与低阻值电阻分层问题以及Au基导体与介质分层问题。从机理分析结合剖面微观分析的角度对问题进行了研究。研究发现:Au/Ag基膜层功能相过度扩散问题的原因是原子的不平衡扩散;Ag导体膜层致密度过高,电阻中的粘结相无法有效浸润从而导致了Ag基导体与低阻值电阻分层问题;而Au基导体与介质分层问题则是由于异质浆料粘接相不匹配造成的。最后对设计和生产过程中可能采取的措施给出了建议。

• 单位
  合肥工业大学