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摘要
本实用新型公开了一种具有NiO-X保护层的MIS-HEMT器件,所述器件包括AlGaN/GaN外延,AlGaN/GaN外延上表面的两端分别连接源漏电极,源漏电极的上表面和AlGaN/GaN外延上表面连接源漏电极以外的区域从下到上依次沉积第一介质层和第二介质层,第二介质层的上表面连接栅电极,栅电极位于源漏电极之间,第一介质层为NiO-X,第一介质层和第二介质层共同作为钝化层和栅介质层。采用NiO-X/SiN-X叠层结构同时作为器件的栅介质层与钝化层,利用电子束蒸发设备生长薄膜较PECVD设备减小了沉积损伤问题,改善了器件的表面态,器件的漏电、电流崩塌以及击穿电压性能都得到了优化。
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