摘要

在浅体声波(SSBW)器件上采用真空热蒸发法制备MgF2波导层,研究了器件的频率、插损、质量灵敏度随波导层厚度变化的特性。当波导层厚度约为2.48μm时,器件的插损最小(-23.93 dB);当波导层厚度约为6.5μm时,器件获得了最大质量灵敏度416.7 cm2.g-1。并分析了不同沉积速率对薄膜质量的影响。实验结果表明:要制备高质量的薄膜必须采用低的薄膜沉积速率,MgF2薄膜可作为乐甫波器件的波导层材料。

  • 单位
    光电信息学院; 电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室

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