SOI压力芯片敏感电阻条刻蚀研究

作者：吴佐飞; 齐虹; 张岩; 尚瑛琦; 刘嘉铭; 岳宏

来源：传感器与微系统, 2022, 41(03): 66-75.

DOI：10.13873/J.1000-9787(2022)03-0066-02

• 绝缘体上硅压力敏感芯片
• 敏感电阻条刻蚀
• 稳定性

针对微机电系统(MEMS)绝缘体上硅(SOI)压力敏感芯片电阻条刻蚀过程中易损伤的问题，对敏感电阻条的刻蚀工艺进行优化设计，通过调整平板功率、气体流量比例等参数，最终找出最优的工艺参数，减少等离子体对敏感电阻条的侧向损伤，从而提高SOI压力敏感芯片的稳定性。

• 单位
  中国电子科技集团公司第四十九研究所