Si基SiC微通道及其制备工艺

作者：王亮; 孙国胜; 刘兴昉; 赵永梅; 宁瑾; 王雷; 赵万顺; 曾一平; 李晋闽

来源：微纳电子技术, 2008, (08): 458-461.

DOI：10.13250/j.cnki.wndz.2008.08.004

• 微流体
• 微通道
• 碳化硅
• 化学气相沉积
• 模板
• 单体 microfluidic
• microchannels
• SiC
• CVD (chemical vapor deposition)
• template
• monomer

提出了一种用于MEMS的硅基SiC微通道(阵列)及其制备方法,它涉及半导体工艺加工硅晶片和化学气相淀积方法制备SiC。在Si(100)衬底上用半导体工艺刻蚀出凹槽微结构,凹槽之间留出台面,凹槽和台面的几何尺寸(深度、宽度、长度)及其分布方式根据需要而定,此凹槽微结构用作制备SiC微通道的模板;用化学气相淀积方法在模板上制备一厚层SiC材料,此层SiC不仅完全覆盖衬底表面的微结构包括凹槽和台面,还在凹槽顶部形成封闭结构,这样就在衬底上形成了以凹槽为模板的SiC微通道(阵列)。对淀积速率与微通道质量之间的关系进行初步分析,发现单纯地提高淀积速率不利于获得高质量的微通道。

• 单位
  中国科学院; 中国科学院半导体研究所; 传感技术国家重点实验室