提拉法Ti:LiAlO_2晶体的生长、缺陷及N_2退火研究

作者：黄涛华; 周圣明; 邹军; 周健华; 林辉; 王军

来源：人工晶体学报, 2007, (06): 1249-1252+1248.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2007.06.007

• Ti:LiAlO2
• 化学腐蚀
• N2退火 Ti: LiAlO2
• chemical etching
• N2 annealing

本文采用提拉法成功地生长了钛掺杂浓度为0.1%原子分数的LiAlO2单晶体,借助光学显微镜,结合化学腐蚀法,对Ti:LiAlO2晶体(100)面空气退火前后的缺陷特征进行了研究,用AFM观测了(100)面晶片在不同温度下流动N2气氛退火过的表面形貌。结果表明:Ti:LiAlO2晶体(100)面的位错腐蚀坑是底面为平行四边形的锥形坑,位错密度约为5.0×104cm-2,900℃空气退火后晶片表面的位错腐蚀坑变大;N2退火能显著影响晶片的表面形貌,当退火温度为900℃时,晶片的均方根粗糙度(RMS)达到最低值。

• 单位
  中国科学院上海光学精密机械研究所; 中国科学院研究生院