衬底温度对纳米晶硅薄膜微结构的影响

作者:刘翠青; 陈城钊; 邱胜桦; 吴燕丹; 李平; 余楚迎; 林璇英
来源:材料研究与应用, 2008, 2(4): 475-478.
DOI:10.3969/j.issn.1673-9981.2008.04.058

摘要

采用传统的射频等离子体增强化学气相沉积技术,在较高的工作气压130 Pa和较高的射频功率70 W下,在高于100 ℃低温下,以0.14 nm/s速率制备出优质的纳米晶硅薄膜.研究结果表明,衬底温度对薄膜晶化率、表面的粗糙度和沉积速率影响很大.当衬底温度高于100 ℃时,薄膜由非晶相向晶相转化.随着衬底温度升高,薄膜晶化率提高,沉积速率缓慢增加.当温度超过300 ℃时,薄膜的晶化率降低,薄膜表面的粗糙度增加,均匀性降低.

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