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摘要
本发明提出了一种漂移阶跃恢复二极管的等效电路模型,属于半导体器件技术领域。所述等效电路模型的拓扑结构包含寄生电阻、寄生电感、二极管D、压控开关、扩散电容、势垒电容、寄生电容和电压控制端口。所述二极管D通过最大反向直流电压、击穿电压、渡越时间和梯度系数来表征所述漂移阶跃恢复二极管的多层P—N结构,所述势垒电容、扩散电容、压控开关及电压控制端口用于表征所述漂移阶跃恢复二极管在开关过程中的电容特性,同时还考虑了漂移阶跃恢复二极管的各种寄生参数,使得模型能更准确地反映漂移阶跃恢复二极管的动态电特性,极大提高了漂移阶跃恢复二极管脉冲源设计的便利性和准确性。
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