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摘要
本工作集中研究磨料粒径、进给速度及切割线径对单晶锗片损伤层及几何参数的影响。结果表明:在切割过程中,磨料粒径与锗片损伤层深度及表面粗糙度呈正比关系,采用3 000#磨料切割时,损伤层深度为6μm,表面粗糙度为0.285μm;进给速度的降低会降低锗棒在切割过程中的温度变化,从而降低锗片的几何参数;采用3 000#碳化硅微粉,100μm/min进给速度,0.09 mm切割线的切割工艺,能够获得表面质量优异、几何参数小、切割损耗小的锗片。
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单位中国电子科技集团公司第四十六研究所
