摘要

通过线性微波化学气相沉积(LMW-PECVD)技术在P型单晶样品上高生长速度下制备了高质量的Al Ox薄膜,采用场发射电子扫描显微镜、光学椭圆偏振仪器、有效少子寿命测量仪对实验样品进行了表征和分析。结果表明,Al Ox薄膜的厚度和折射率都对晶硅的钝化效果有影响,薄膜厚度在2030 nm之间、折射率在1.61.65之间出现了理想的钝化效果;热处理对Al Ox薄膜钝化效果的影响较为复杂,理想的热处理温度在350400℃之间。

  • 单位
    东北大学; 中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司; 自动化学院

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