基于硅基氮化硅波导的外腔激光器研究

作者：陈家荣; 王东辰; 彭麦菊

来源：真空, 2021, 58(05): 77-79.

DOI：10.13385/j.cnki.vacuum.2021.05.13

• 外腔激光器
• Si3N4波导
• 半导体光放大器
• 边模抑制

本论文展示了一种可调谐硅基外腔激光器,调谐范围在C波段(1540～1560nm),该激光器使用端面直接耦合(edge coupling)方式将SOA(Semiconductor Optical Amplifier)与硅基Si3N4波导集成。通过设计硅基Si3N4波导微环结构行成激光器外腔,激光器边模抑制比(side-mode suppression,SMSR)可达64dB。使用热调方式对微环进行等效折射率调节,实现了激光器粗调(coarse tune)与精调(fine tune)相结合,调节精度可达0.04nm。

• 单位
  贵州民族大学