Sb掺杂ZnO纳米线的制备与光电性能研究

作者：苏明明; 张唐磊; 丁宝玉; 沈杰; 张翔晖^*

来源：功能材料, 2020, 51(05): 5092-5102.

• Sb掺杂
• ZnO纳米线
• p型掺杂
• 光电性质

采用化学气相沉积法在蓝宝石(c-Al2O3)衬底上外延制备了不同含量的Sb掺杂氧化锌(ZnO)纳米线,并通过SEM,XRD,XPS,PL以及霍尔效应仪等测试手段对掺Sb后的ZnO纳米线进行了形貌、成分以及光电性能的表征。XPS测试结果表明,Sb原子成功的掺入到了ZnO纳米线晶格中。PL光谱分析显示,随着Sb掺杂含量的增加,纳米线的缺陷浓度增加,纳米线的结晶性变差。霍尔效应测试结果表明,在一定的掺杂含量范围(3%～4.5%)内,纳米线呈p型导电性。