空穴、H~+在SiO_2体内输运的数值模拟研究

作者：李培; 贺朝会; 郭红霞; 李永宏; 张晋新

来源：数值计算与计算机应用, 2020, (02): 151-158.

• 电离辐射效应
• 空穴输运机制
• H~ 输运机制
• TCAD数值模拟 ionizing-radiation effect
• holes trapping
• protons transportation
• TCAD numerical simulation

半导体器件的电离辐射效应涉及到材料内部的一系列物理过程,包括空穴对的产生与复合、载流子的输运以及氧化物陷阱电荷和界面态电荷的形成与累积.空穴和H~+的输运机制是理解电离辐射效应的关键环节,其中空穴的输运影响着氧化物陷阱正电荷的形成、退火以及H~+的释放,从而影响界面态电荷的形成.本文建立Si/SiO_2界面的物理模型,借助TCAD数值模拟方法,分析不同剂量率辐照条件下空穴和H~+在SiO_2体内的输运机制和浓度分布.

• 单位
  西北核技术研究所; 西安交通大学; 西安电子科技大学