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摘要
设计了一款应用于超宽带协议的具有带外噪声抑制功能的全集成低噪声放大器(Low Noise Amplifier,LNA)。通过在LNA中集成无源陷波滤波器来抑制5～6 GHz的带外信号,并分析了片上电感的寄生参数对滤波效果的影响;采用并联电阻反馈共源共栅结构和并联补偿技术来实现宽带。基于SMIC 28 nm CMOS工艺,使用EMX软件对所设计的LNA进行了电磁建模提参,采用Cadence Virtuoso对电路进行仿真验证,结果表明,该LNA在6.5～10 GHz的工作频带内,S21介于22.77 dB到24.51 dB之间,较为平坦;S11小于-12.34 dB;S22小于-12.34 dB;S12小于-45.0 6 dB;带内噪声系数较小,介于2.35 dB到2.82 dB之间。全集成片上带阻滤波器在5.8 GHz处可提供-14.6 dB的噪声抑制。在0.9 V供电电压下,LNA的静态功耗仅为10.7 mW(含偏置)。
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