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摘要
本发明公开了一种基于垂直嵌入式电容的GaN功率模块,涉及电力电子技术领域,该功率模块包括：第一基板；与第一基板相对设置的第二基板；位于第一基板与第二基板之间的印刷电路板、第一GaN器件、第二GaN器件和解耦电容；其中,印刷电路板与第一基板平行,解耦电容垂直嵌入于印刷电路板,第一GaN器件位于印刷电路板与第一基板之间、第二GaN器件位于印刷电路板与第二基板之间,第一GaN器件、第二GaN器件与解耦电容形成功率环路。由于解耦电容垂直嵌入在PCB中,因此与现有技术中在PCB板顶层或底层布线的方式相比,减小了功率环路所占用的面积,进而能够通过减小自感来减小寄生电感。
- 单位
