镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法

作者：李国强; 万利军; 刘智崑; 陈丁波; 孙佩椰; 阙显沣; 姚书南; 李润泽

来源：2019-03-21, 中国, CN201910215307.6.

本发明公开了镁掺杂制备的增强型GaN基HEMT器件及其制备方法。所述方法包括以下步骤：(1)在AlxGa1-xN势垒层上方光刻出栅电极接触窗口；(2)采用电子束蒸发/热蒸发/磁控溅射的方法在光刻后的表面沉积金属镁；(3)采用剥离工艺对未曝光的光刻胶进行剥离；(4)采用热退火工艺对沉积镁的外延片进行热退火的扩散掺杂；(5)通过配制稀盐酸将退火后的表面金属镁进行去除,得到增强型GaN基HEMT器件。本发明利用金属镁热扩散技术,实现栅电极下方AlxGa1-xN势垒层的P型掺杂,制备出增强型GaN基HEMT器件。该制备方法具有工艺简单、成本低廉的优点,对于实现高性能GaN基HEMT器件具有重要意义。

• 单位
  华南理工大学