Co掺杂对CeO_2显微结构及磁性能的影响

作者：杨许文; 宋远强; 张怀武; 苏桦

来源：磁性材料及器件, 2009, (05): 21-25+29.

• 稀磁氧化物半导体
• Co掺杂CeO2
• 微结构
• 磁性能 diluted magnetic oxide semiconductor
• Co-doped CeO2
• microstructure
• magnetic property

近年来宽禁带稀磁性氧化物半导体由于其高的居里温度在自旋电子学领域受到广泛的关注。用固相反应法制备Co掺杂的CeO2稀磁性氧化物半导体,研究了Co掺杂对其显微形貌及磁性能的影响。结果表明,1300℃烧结的样品结晶形态明显,晶粒较大,结构致密,密度最高;掺杂Co的CeO2样品都具有很好的室温铁磁性,且饱和磁化强度Ms随Co浓度的增加先增大后减小;1300℃烧结、掺3at%Co的Ce0.97Co0.03O2具有最强的室温铁磁性(0.23μB/Co)。