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摘要
CMOS芯片以其成本优势在设计制造中得到广泛青睐,伴随着工艺节点的提升,其频率覆盖范围已达到微波及太赫兹频段。但由于CMOS的工艺特性以及微波射频放大器普遍采用的开环架构,导致其温度特性较差,随着温度升高,放大器增益下降显著,传统的温度补偿方案难以实现全温度范围内的正温系数补偿。因此,提出一种基于温度检测和可变增益放大的自适应CMOS芯片任意温度系数补偿方案,分析了补偿原理,并通过设计一款自适应L波段温度补偿放大器芯片进行验证,测试结果显示在25℃、65℃补偿点,分别实现了5 dB和10 dB的无相位跳变的增益补偿,与设计相符。该结果可以推广到各频段、任意温度系数、任意补偿区间及任意阶梯级数。在雷达、电子对抗和通信领域具有广泛应用前景,对微波射频芯片产品设计有一定指导意义。
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单位东南大学; 中国航天科工集团公司
