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摘要
IGBT是新能源汽车的核心部件，主要用于电力驱动、充电桩、车载空调等系统，第5代IGBT沟槽刻蚀技术对Si基的刻蚀工艺要求很苛刻。腔内气压影响刻蚀速率的因素包括离子轰击效应、化学反应速率、物理碰撞效应。采用ICP601型等离子体刻蚀机，F基气体对光刻后的Si片进行沟槽刻蚀。结果表明，前期随着气压的增加，刻蚀速率增大，当气压为5 Pa时，刻蚀速率达到最大值0.24μm/min，中后期随着气压的增大，刻蚀速率减小。
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单位材料学院; 河南机电职业学院; 北京理工大学
