降低有源区颗粒状缺陷密度的晶圆倒角优化工艺

作者：邓森; 乔树山; 翟冬梅; 李希

来源：微电子学, 2020, 50(04): 579-588.

DOI：10.13911/j.cnki.1004-3365.190495

• 晶圆倒角
• 颗粒状缺陷
• 有源区
• NANO喷洒

基于28 nm先进工艺平台,研究了有源区工艺中大颗粒状缺陷(LPD)的产生机理及优化方案。研究结果表明,LPD的产生与晶圆边缘倒角形状相关,较短的倒角导致晶圆在CVD工艺中产生背面划伤。划伤产生的颗粒在气体作用下浮到晶圆表面,经过后续工艺步骤后,在有源区硬掩膜氧化层表面形成LPD。提出了改善晶圆边缘倒角形状和嵌入NANO喷洒工艺步骤的优化方案,消除了LPD,提高了产品的合格率。

• 单位
  中国科学院大学; 中国科学院微电子研究所; 中芯国际集成电路制造有限公司