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摘要
高纯碲是广泛应用于红外探测、核辐射探测、光伏、制冷等领域的关键半导体材料，其应用范围受碲纯度限制。目前制备6 N、7 N级高纯碲的主流工艺为“真空蒸馏-通氢区熔”,但对于高硒原料，该工艺流程所制备产品难以达标。本文以4 N级碲为原料(主要杂质元素为硒、钠，硒含量为6.2×10-6),进行了高纯碲制备试验。通过分析在同一冷凝位置内、外层杂质含量差异，发现了碲冷凝过程中存在“冷凝区滑移”现象，造成低沸物杂质与产品混杂问题；试验还表明，延长原料恒温预热时间和加入高纯石英也有利于碲的提纯。针对上述问题，对原工艺进行改进，在延长原料恒温预热时间至70 min、预烘冷凝器、于原料碲中掺入高纯石英碎片的条件下，实现在通氢区熔工序前高效分离原料碲中的硒和钠，可将4 N级高硒冶炼碲锭经一次蒸馏制得6 N级高纯碲。该改进后工艺无需在真空蒸馏工艺中通氢，即可一次蒸馏制备6 N级高纯碲，大幅节约制造成本，且为采用4 N级高硒碲为原料制备7 N级超高纯碲提供了条件。
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单位山东恒邦冶炼股份有限公司
