辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件及其制备方法

作者：刘智崑; 万利军; 李国强; 陈丁波; 孙佩椰; 阙显沣; 姚书南; 李润泽

来源：2019-03-21, 中国, CN201910215312.7.

本发明公开了辅助掺杂实现常关型GaN HEMT器件及其制备方法。该方法包括以下步骤：(1)在AlGaN势垒层上光刻栅电极接触窗口；(2)对栅电极接触窗口进行微刻蚀处理；(3)在光刻区域蒸镀金属镁；(4)剥离未曝光的光刻胶；(5)进行热掺杂处理；(6)沉积SiN钝化保护层；(7)采用光刻技术制备源漏栅电极；(8)制备欧姆接触电极、肖特基接触电极,得到GaN HEMT器件。本发明利用感应耦合等离子体刻蚀机对栅电极接触窗口区域进行微刻蚀处理辅助掺杂来实现常关型GaN HEMT器件。该制备方法有辅助掺杂效率高、器件性能稳定可重复的优点,对于实现高阈值电压大饱和电流常关型GaN HEMT器件有重要意义。

• 单位
  华南理工大学