PZT/LaNiO_3/MgO多层结构制备及性能研究

作者：张洪伟; 张树人; 黄文; 刘敬松; 杨成韬

来源：压电与声光, 2007, (05): 586-588.

• LaNiO3
• 锆钛酸铅(PZT)
• 激光脉冲沉积
• 射频磁控溅射
• 退火 LaNiO3
• PZT
• PLD
• RF magnetron sputtering
• annealing

利用激光脉冲法在MgO衬底上沉积制备LaNiO3(LNO)薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了锆钛酸铅(PZT)铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(110)取向、晶化完全的PZT薄膜。在5 V测试电压下发现650℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,介电常数(rε,)和损耗(tanδ)分别达570和0.05,漏电流在10-9A量级,电滞回线完全饱和且形状对称,剩余极化强度(Pr)和矫顽场(Ec)分别为35.8μC/cm2和76.3 kV/cm。

• 单位
  电子科技大学; 电子薄膜与集成器件国家重点实验室