本发明公开了一种基于二维氧化镓薄膜晶体管的制备方法,主要解决现有氧化镓电子器件性能低下的问题。其实现方案是：1)对基片衬底进行清洗和吹干的预处理；2)选取不同表面积的二维层状材料,通过氧化剥离的方式制备面积厚度可控的二维β-Ga2O3薄膜,并采用转印聚合物将其转移到基片衬底上表面作为沟道层；3)通过掩膜版蒸镀或光刻的方法制备金属源漏电极。本发明通过对β-Ga2O3薄膜厚度和面积进行精确控制,提升了半导体/金属电极界面传输特性及其器件性能,可用于制造高性能大规模光电集成电路。
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