本实用新型公开了生长在硅/石墨烯复合衬底上的GaN基纳米柱LED外延片,包括生长在硅/石墨烯复合衬底上的非掺杂GaN纳米柱,生长在非掺杂GaN纳米柱上的n型掺杂GaN层,长在n型掺杂GaN层上的InGaN/GaN量子阱,生长在InGaN/GaN量子阱上的p型掺杂GaN层。本实用新型的制备方法具有生长工艺简单,制备成本低廉的优点,且制备的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好,电学、光学性能好。
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