半导体低维结构的压力光谱研究

作者：李国华; 陈晔; 方再利; 马宝珊; 苏付海; 丁琨

来源：红外与毫米波学报, 2005, (03): 174-178.

• 压力
• 光致发光
• 量子点
• 纳米粒子 pressure
• photoluminescence
• quantum dot
• nanoparticle

研究了一些半导体低维结构的压力光谱.测得平均直径为26、52和62nm的In0.55Al0.45As/Al0.5Ga0.5As量子点发光峰的压力系数分别为82、94和98meV/GPa.表明这些发光峰具有Γ谷的特性,这些量子点为Ⅰ型量子点.而平均直径为7nm的量子点发光峰的压力系数为-17meV/GPa,具有X谷的特性.所以这种小量子点为Ⅱ型量子点.测得ZnS:Mn纳米粒子中Mn发光峰的压力系数为-34.6meV/GPa,与晶体场理论的预计一致.而DA对发光峰基本不随压力变化,表明它应该与ZnS基体中的表面缺陷有关.测得ZnS:Cu纳米粒子中Cu的发光峰的压力系数为63.2meV/GPa,与Z...

• 单位
  中国科学院半导体研究所; 半导体超晶格国家重点实验室