CdZnTe晶片的Raman光谱研究

作者：曾冬梅; 王涛; 周海; 杨英歌

来源：人工晶体学报, 2010, (01): 221-225+231.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2010.01.054

• CdZnTe
• Raman光谱
• 表面处理
• 激光功率 CdZnTe
• Raman spectrum
• surface treatment
• laser power

利用Raman光谱技术研究了CdZnTe晶片表面处理方法、激光功率及波长变化对CdZnTe晶片的Raman谱线影响。研究表明:CdZnTe晶片分别经过机械抛光、Br-MeOH溶液处理以及Br-MeOH溶液+KOH/甲醇溶液处理后,由于表面晶格完整性的改变,Raman光谱出现了明显变化。采用514.5nm、632.8nm及785nm激光激发CdZnTe晶片时,晶片的Raman波谱也有所不同,其中用785nm激光激发样品,荧光发光峰位于100～200cm-1范围,掩盖了晶片Raman特征峰。在对CdZnTe晶片做Raman测试时,尽可能选择较低功率。

• 单位
  北京石油化工学院; 凝固技术国家重点实验室; 西北工业大学