设计了一种基于GaN HEMT的功率放大模块。该模块采用高增益的GaAs单片、GaN小功率管和GaN大功率管三级级联形式。测试结果表明,模块在约220~270 MHz、工作电压46 V、工作脉宽3 ms、工作比30%的条件下,全带内600 W输出,附加效率大于75%,增益大于52 d B。