InP衬底AlAs/In_(0.53)Ga_(0.47)As RTD的研制

作者：高金环; 杨瑞霞; 武一宾; 刘岳巍; 商耀辉; 杨克武

来源：Pan Tao Ti Hsueh Pao/chinese Journal of Semiconductors, 2007, (04): 573-575.

• 共振隧穿二极管
• 分子束外延
• 台面结构
• InP衬底
• 峰-谷电流比 resonant tunneling diode
• molecular beam epitaxy
• mesa structure
• InP substrate
• peak-to-valley current ratio

报道了InP衬底AlAs/In0.53Ga0.47As/AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管(RTD)器件的研制.结构材料由分子束外延制备,衬底片为(001)半绝缘InP单晶片,器件制作选用台面结构.测得室温下的峰值电流密度为1.06×105A/cm2,峰-谷电流比为7.4,是国内报道的首例InP材料体系RTD器件.

• 单位
  河北工业大学; 中国电子科技集团公司第十三研究所; 石家庄铁道学院