低功耗宽带低噪声放大器的设计

作者：张斌; 汪柏康; 张沁枫; 孙文俊; 秦战明

来源：电声技术, 2023, 47(01): 117-120.

DOI：10.16311/j.audioe.2023.01.031

• 低噪声放大器
• 宽带
• 砷化镓(GaAs)
• 先进设计系统(ADS)
• 低功耗

分析低噪声放大器的设计原理，采用两级电流复用负反馈结构，基于砷化镓(Gallium Arsenide,GaAs)工艺，利用先进设计系统(Advanced Design System,ADS)软件仿真设计了一款低功耗宽带低噪声放大器芯片，该芯片尺寸仅为1.5 mm×0.9 mm×0.1 mm。通过对芯片性能进行测试，在频带6～12 GHz内，其增益约为23 dB，噪声系数≤1.1 dB，端口回波损耗≥12 dB，输出功率1 dB压缩点P-1≥10 dBm,+5 V电源端口工作电流为17 mA。