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摘要
宽禁带半导体中,GaN具有禁带宽度大、热导率大、击穿场强高、电子饱和漂移速度高等特点,其在高温以及微波功率器件制造方面具有非常明显的优势。在III族氮化物材料体系中,AlGaN/GaN异质结构是典型的高导带阶跃、强极化电场低维半导体结构体系,在AlGaN/GaN异质界面插入薄层AlN形成的AlGaN/AlN/ GaN异质结构更优于常规的AlGaN/GaN异质结,所以对AlGaN/AlN/GaN异质结构中2DEG的输运性质以及散射机制的研究对丰富和发展半导体低维物理学有重要的科学意义。 半导体异质结二维电子气的磁阻SdH振荡是由电子的量子效应引起的,反映朗道能级态密度在费米面处的变化。通...
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