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摘要
本文基于第一性原理计算,预测了二维SnP3层作为新型半导体材料,具有0.71 eV(单层)和1.03 eV(双层)的间接带隙,这与体结构的金属特性不同.值得注意的是,2D SnP3具有9.171×104 cm2·V-1·s-1的高空穴迁移率和对于整个可见光谱的高光吸收(～106 cm-1),这预示2D SnP3层有望成为纳米电子学和光电子学的候选材料.有趣的是,本文发现2D SnP3双层具有与硅类似的电子和光学特性.考虑到硅基微电子和光伏技术的巨大成功,本文的研究结果将有助于纳米领域的相关研究.
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