摘要
为了更加准确分析表面形貌对KH2PO4(KDP)晶体元件激光损伤和使用性能的影响,通过功率谱密度和连续小波变换对KDP晶体已加工表面存在的实际频率特征进行提取和重构。利用波动光学理论分析了经入射波长1.064μm、功率20MW/μm2的激光束照射1ns后,表面频率特征对KDP晶体亚表层光场及温度场的影响。结果表明,当表面频率特征的波长越接近入射光波长1.064μm时,KDP晶体亚表层的光场畸变现象越严重,会造成局部聚焦,温度越高。当波长超过20μm时,在振幅不变的情况下最高温度随着波长的增加基本不变。通过切削实验获得的KDP晶体已加工表面上明显存在的波长分别为14μm、50μm和140μm,其对KDP晶体亚表层造成的温升分别为56K、22K和12K。当波长相同时,KDP晶体的最高温度与表面频率幅值呈线性关系。随着表面频率波长的增加,温度最高点的位置向KDP晶体内部延伸。
-
单位电子工程学院; 上海市质量监督检验技术研究院; 南京林业大学