GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结二维电子气的磁电阻研究

作者：王威; 周文政; 韦尚江; 李小娟; 常志刚; 林铁; 商丽燕; 韩奎; 段俊熙; 唐宁; 沈波; 褚君浩

来源：Acta Physica Sinica, 2012, 61(23): 452-456.

• 二维电子气
• 磁电阻
• 电子-电子相互作用
• 平行电导

通过对GaN/Al_xGa_(1-x)N异质结中二维电子气磁输运结果的分析,研究了磁电阻的起因.结果表明,整个磁场范围的负磁电阻是由电子-电子相互作用引起的,而高场下的正磁电阻来源于平行电导的进一步修正.用拟合的方法得到了电子-电子相互作用项以及平行电导层的载流子浓度和迁移率,并用不同的计算方法对拟合结果进行了验证.

• 单位
  人工微结构和介观物理国家重点实验室; 中国科学院上海技术物理研究所; 华东师范大学; 红外物理国家重点实验室; 广西大学