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摘要
本发明提供了一种倒装LED芯片结构及其制作方法。倒装LED芯片结构包括：三维图形结构、蓝宝石衬底、半导体材料层、N电极、接触反射层、绝缘隔离层、P电极和焊接电极10；所述半导体材料层包括N型半导体材料、发光层和P型半导体材料。在蓝宝石衬底表面形成掩膜材料,再用光刻蚀刻的方法将光刻胶图案制作在掩膜上,蚀刻掩膜,去除光刻胶,在衬底表面形成三维图形结构掩膜层,再用蚀刻的方法在衬底表面形成三维图形结构,最后清除掩膜。本发明可以根据特定应用场景的光源要求,对倒装LED芯片的蓝宝石衬底出光面进行光学设计与加工,制作出单个的、周期性的或者非周期性的三维光学图形,从而实现所需的光源要求。
- 单位
