摘要
目的制备镀层密实均匀、不易脱落、与树脂结合性好的壳核型Ag/SiO2导电粉体,以获得性能优异的Ag/SiO2电磁屏蔽涂层。方法分别使用敏化、偶联剂改性、高分子表面包覆前处理方式,以葡萄糖作还原剂,氨水作Ag+络合剂,进行化学镀银,制备Ag/SiO2微珠。测试了复合粉体的导电性能,并结合试验现象,分析了前处理反应机理和银层生长机理。采用扫描电子显微镜和X射线衍射仪,对不同前处理方式的Ag/SiO2微珠结构进行表征与验证。用不同前处理方式制备的Ag/SiO2微珠为填料,不饱和聚酯树脂为基体,制备导电涂层,研究不同Ag/SiO2微珠与涂层的结合性能以及填料含量对涂层导电性能的影响。结果采用敏化前处理法所制备的Ag/SiO2微珠银层均匀、密实、无脱落,明显优于其他两种前处理方式,其压实电阻可低至144.04m?,并且Ag/SiO2微珠填料添加量在80%时,可形成最优的导电通路,体积电阻率低至0.0051?·cm,电磁波频率8.2~12.4 GHz下的电磁屏蔽效能可达到51.9 dB。结论采用敏化法前处理玻璃微珠表面可镀覆出质量优异的银层,且在树脂体系中导电性能好,可作为优质的电磁屏蔽剂制备导电涂层。
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