P和As掺杂Mn4Si7第一性原理计算

作者：钟义; 张晋敏^*; 王立; 贺腾; 肖清泉; 谢泉

来源：人工晶体学报, 2021, 50(02): 273-289.

DOI：10.16553/j.cnki.issn1000-985x.2021.02.007

• 第一性原理
• Mn4Si7
• 掺杂
• 能带结构
• 态密度
• 光学性质

采用第一性原理计算方法,对本征Mn4Si7以及P和As掺杂的Mn4Si7的电子结构和光学性质进行计算解析。计算结果表明本征Mn4Si7是带隙值为0.810 eV的间接带隙半导体材料,P掺杂Mn4Si7的带隙值增大为0.839 eV,As掺杂Mn4Si7的带隙值减小为0.752 eV。掺杂使得Mn4Si7的能带结构和态密度向低能方向移动,同时使得介电函数的实数部分在低能区明显增大,虚数部分几乎全部区域增加且8 eV以后趋向于零。此外掺杂还增加了高能区的消光系数、吸收系数、反射系数以及光电导率,明显改善了Mn4Si7的光学性质。

• 单位
  贵州大学