本发明公开了一种不依赖温度的线性磁电阻材料及其制备方法与应用,所述材料由石墨膜构成,该材料的磁阻效应在低温和常温时都具有良好的线性并基本不随温度变化。在磁场为9T下,该石墨膜材料在2K时磁电阻(MR)为96％,300K时的MR达到118％。基于上述特点,本发明得到的石墨膜可以广泛应用于制备各类磁传感器,基于其磁阻不依赖温度的线性响应,其所制备的石墨膜磁传感器能够实现高精度和宽温区的测量,特别适合应用于强磁场的测量。
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