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摘要
本文报道了一种利用简单的两步牺牲模板法,在泡沫铜基底表面完成了三维氧化铜纳米晶阵列的生长.氧化铜纳米晶阵列具有良好的导电性,稳定性,在碱性溶液中有着优秀的电解水产氧催化性能.氧化铜纳米晶阵列催化水的电化学氧化只需400 mV的过电势即可达到100 mA/cm2的电流密度,与其它铜基电解水产氧催化剂以及贵金属IrO2相比都有着明显的优势.氧化铜纳米晶阵列在270 mA/cm2左右的工作电流下连续工作10 h依然可以保持良好的稳定性,是相同的工作电压下IrO2工作电流的10倍(约25 mA/cm2).
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单位中国科学技术大学; 中国科学院
