一种低损耗硅基MZ电光调制器的驱动电极设计

作者：刘永超; 纪鹏飞; 何卫锋

来源：微电子学与计算机, 2020, 37(10): 13-17.

DOI：10.19304/j.cnki.issn1000-7180.2020.10.003

• 电光调制器
• 高速行波电极
• 趋肤效应
• 损耗

为了满足高数据带宽的硅光互联应用要求,高速硅光调制器的设计至关重要.本文基于IMEC的硅光子SOI工艺,提出了一种低损耗高带宽的行波MZ调制器的驱动电极.在详细分析了趋肤效应、行波损耗、邻近效应等物理效应对行波电极信号完整性的影响的基础上,通过在行波电极上增加一定宽度的顶层金属的方法,使MZ调制器的低频损耗降低了13%,高频损耗降低了5%,并使电光调制3 dB带宽提高至28 GHz.

• 单位
  上海交通大学