本发明公开了一种无线弱能量收集用表面沟道MOSFET及其制备方法,采用新的接线方式接入微波无线能量收集系统,同时利用应变Si材料作为MOSFET的沟道材料,同时实现了低阈值电压和高沟道迁移率,提高了整流效率,产品和方法新颖、器件集成度高、工艺成本低。