基于AlN/GaN超晶格沟道的双向阻断功率器件及制作方法

作者：赵胜雷; 刘爽; 张进成; 张苇杭; 张雅超; 张春福; 周弘; 毛维; 郝跃

来源：2019-11-27, 中国, CN201911178761.5.

本发明公开了一种基于AlN/GaN超晶格沟的双向阻断功率器件,主要解决现有技术击穿电压较低,电子迁移率低的问题。其自下而上包括衬底(1)、成核层(2)、缓冲层(3)、合金层(4)、势垒层(5)和帽层(6),该帽层的两侧上方设有源极(7)和漏极(8),帽层的中间上部设有栅极(9)；栅极分别与源极和漏极之间为钝化层(10)；该合金层(4)采用由AlN与GaN交替分布的AlGaN超晶格沟道结构。本发明改善了生长晶体的质量,增加了沟道电子的迁移率和击穿特性,降低了器件的导通电阻,提升了击穿电压,可用于高压下的高功率转换开关。

• 单位
  西安电子科技大学