Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜的制备和性能研究

作者：李晨雨; 朱俊; 陈欢文

来源：重庆电子工程职业学院学报, 2014, 23(03): 149-151.

DOI：10.13887/j.cnki.jccee.2014(03).045

• 脉冲激光沉积
• Hf0.5Zr0.5O2薄膜
• 铁电
• XRD
• 疲劳测试

运用脉冲激光沉积方法,在Pt(111)基片上沉积制备Hf0.5Zr0.5O2铁电薄膜。通过对X射线衍射(XRD)分析表明,薄膜的正交相随衬底温度升高而增强,随薄膜厚度增加而减小。P-E电滞回线实验表明,提高衬底温度有助于增强薄膜铁电性能。400℃氧气中原位退火后薄膜剩余极化(2Pr)达到8μC/cm2。5V以下薄膜漏电流密度为3.2×10-6A/cm2。Hf0.5Zr0.5O2薄膜的疲劳特性测试表明,在经过2×109次反转后可参与翻转总极化值有一定下降。

• 单位
  电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 电子科技大学