本文基于WIN半导体的0.15μmGaAspHEMT工艺，设计了一款工作频段为4.5～6GHz的无源双平衡混频芯片。整体电路集成了肖特基二极管环路、射频及本振端微带螺旋巴伦以及匹配网络等.部分，最终版图尺寸为1000μm×700μm。通过ADS仿真软件测试，在C波段全频带内，混频网络可实现7dB以内的变频损耗，最小值为65dB，本振到射频隔离度大于35dB，本振到中频隔离度大于30dB，输入1dB压缩点大于15dBm，中频带宽可以达到2GHz。
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