本文基于WIN半导体的0.15μmGaAspHEMT工艺,设计了一款工作频段为4.5~6GHz的无源双平衡混频芯片。整体电路集成了肖特基二极管环路、射频及本振端微带螺旋巴伦以及匹配网络等.部分,最终版图尺寸为1000μm×700μm。通过ADS仿真软件测试,在C波段全频带内,混频网络可实现7dB以内的变频损耗,最小值为65dB,本振到射频隔离度大于35dB,本振到中频隔离度大于30dB,输入1dB压缩点大于15dBm,中频带宽可以达到2GHz。