硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究

作者：刘东红; 闫翠霞; 俞琳; 胡连军; 龙闰; 戴瑛

来源：半导体技术, 2006, (07): 495-497.

DOI：10.13290/j.cnki.bdtjs.2006.07.005

• 金刚石
• 掺杂
• 离子注入
• 喇曼光谱 diamond
• doping
• ion implant
• Raman spectrum

金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一。最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过硼、氢离子注入掺杂及退火温度对金刚石薄膜导电特性的影响。

• 单位
  晶体材料国家重点实验室