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摘要
极紫外（EUV）光刻是目前最先进的光刻技术，是芯片向更高集成度发展的重要保障。高成像质量是确保EUV光刻机性能指标的前提，而反射式三维掩模和特殊的光学成像系统给提高成像质量带来了更多挑战。研究三维掩模成像是提高EUV光刻成像质量的基础，三维掩模成像模型是重要的研究工具。本文结合本团队在EUV光刻三维掩模成像领域的研究，介绍了EUV光刻三维掩模成像的基本原理，总结了典型的三维掩模模型，介绍了提高EUV光刻三维掩模成像质量相关技术的研究进展，并展望了该领域的发展趋势。
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极紫外（EUV）光刻是目前最先进的光刻技术，是芯片向更高集成度发展的重要保障。高成像质量是确保EUV光刻机性能指标的前提，而反射式三维掩模和特殊的光学成像系统给提高成像质量带来了更多挑战。研究三维掩模成像是提高EUV光刻成像质量的基础，三维掩模成像模型是重要的研究工具。本文结合本团队在EUV光刻三维掩模成像领域的研究，介绍了EUV光刻三维掩模成像的基本原理，总结了典型的三维掩模模型，介绍了提高EUV光刻三维掩模成像质量相关技术的研究进展，并展望了该领域的发展趋势。
